모델 405 NAPL 플루트

소스 시각화하기: 솔린스트 플루트를 사용한 고해상도 NAPL 매핑

외과적 정밀도로 순상 LNAPL 및 DNAPL을 식별, 매핑 및 측정합니다.

오염된 부위를 특성화할 때는 ‘존재 여부’만으로는 충분하지 않으며, 위치가 필요합니다. 골절이나 기공 공간에서 순상 제품이 숨어 있는 위치를 정확히 파악하는 것이 성공적인 정화 전략과 값비싼 실패의 차이를 결정합니다. Solinst NAPL 플루트는 보이지 않는 것을 시각적 지도로 변환하여 제품이 자유롭게 분포되어 있다는 확실한 증거를 제공합니다.

“포인트” 판독값을 제공하는 전자 센서나 용존상 샘플링을 통해 오염원만 제시하는 것과 달리, NAPL 플루트는 시추공 전체에 대한 영구적인 시각적 기록을 생성합니다. 소수성 반응성 커버를 사용하여 물과 용해된 오염 물질을 무시하고 순수한 제품만 흡수하여 오염이 있는 곳에 정확히 측정 가능한 얼룩을 남깁니다.

사이트 특성화를 위한 전략적 이점

직접적인 시각적 증거: NAPL이 시추공에 들어가는 위치를 정확히 확인할 수 있습니다. 여러 색상의 염료 줄무늬가 순수한 제품과 접촉하면 용해되어 선명하고 깊이별로 구분된 지도를 제공합니다.
추측을 멈추세요: 기존 인터페이스 계측기가 놓치거나 물기둥에 ‘번질’ 수 있는 얇은 층의 LNAPL 또는 가라앉는 DNAPL을 식별합니다.
소수성 정확도: 특수 커버가 순상 오염 물질만 흡수하여 용존상 농도로 인해 데이터가 왜곡되지 않도록 보장합니다.
교차 오염 제로: 교차 오염 제로 플루트 블랭크 라이너 기술을 기반으로 하는 NAPL 플루트는 시추공을 밀봉하여 테스트 중에 순수한 제품이 깨끗한 구역으로 퍼지는 것을 방지합니다.
교정 준비 완료: 시각적 맵을 사용하여 다음과 같은 샘플링 포트를 완벽하게 배치합니다. 개별 간격 샘플러 를 위한 샘플링 포트를 완벽하게 배치하거나 ROI 극대화를 위한 타겟 주입 프로그램을 설계할 수 있습니다.

Solinst NAPL 플루트의 PCB 얼룩

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모델 405 NAPL 플루트의 특징

반응성 커버 기술: 탄화수소 및 염소 처리된 용매에 즉시 반응하는 고해상도 위킹 소재입니다.
신속한 배포: 라이너는 짧은 시간 동안만 시추공에 머물러야 NAPL 분포의 전체 프로파일을 캡처할 수 있습니다.
제거 및 수정 가능: 시각적 맵을 기록한 후 라이너를 제거하면 시추공이 깨끗하게 유지되어 영구적으로 모니터링하거나 수정할 수 있습니다.
확장 가능한 직경 및 깊이: 직경 2인치에서 최대 19인치의 시추공에 맞게 맞춤 제작되며, 최대 425m(1,400피트)의 깊이까지 지원합니다.
이중 위상 통합: 다음과 결합 가능 FACT(플루트 활성탄 기법) 와 결합하여 단일 이벤트에서 순수상 및 용존상 오염물질을 모두 매핑할 수 있습니다.